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管式爐系列
產品內容
<br/>          立式爐主要適用于6"、8"、12"晶圓的氧化、合金、退火等工藝。 <br/>         氧化是在中高溫下通入特定氣體（O2/H2/DCE），在硅片表面發生氧化反應，生成二氧化硅薄膜的一種工藝。生成的二氧化硅薄膜可以作為集成電路器件前道的緩沖介質層和柵氧化層等。 <br/>         退火是在中低溫條件下，通入惰性氣體（N2），消除硅片界面處晶格缺陷和晶格損傷，優化硅片界面質量的一種工藝。
隱藏域元素占位
擴散/氧化爐是半導體生產線重要工藝，擴散是在高溫條件下，利用熱擴散原理將雜質元素按要求的深度摻入硅襯底中，使其具有特定的濃度分布，達到改變材料的電學特性，形成半導體器件結構的目的?？捎糜谥谱鱌N結或構成集成電路中的電阻、電容、二極管和晶體管等器件。氧化是將硅片放置于氧氣或水蒸氣的氛圍中進行高溫熱處理，在硅片表面形成氧化膜的過程，可作為離子注入的阻擋層及注入穿透層、表面鈍化、器件結構的介質層等。
隱藏域元素占位
LPCVD是用加熱的方式在低壓條件下使氣態化合物在基片表面反應并淀積形成穩定固體薄膜。由于工作壓力低，氣體分子的平均自由程和擴散系數大，故可采用密集裝片方式來提高生產率，并在襯底表面獲得均勻性良好的薄膜淀積層。LPCVD用于淀積Poly-Si、Si3N4、SiO2、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及難熔金屬硅化物等多種薄膜。廣泛用于半導體集成電路、電力電子、光電子及MEMS等行業。
隱藏域元素占位
管式真空爐是在原有管式爐的基礎上，增加真空系統，使客戶獲得高潔凈腔體，提供清潔無雜質的高真空狀態，加熱溫度均勻且能夠精確控制，特別適用于半導體器件或其他對環境要求高的材料的退火工藝，工件質量優良，成品率高。
隱藏域元素占位
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